К основным преимуществам SBD можно отнести два аспекта:
1) Поскольку высота барьера Шоттки ниже высоты барьера PN-перехода, пороговое напряжение прямой проводимости и прямое падение напряжения ниже, чем у диода с PN-переходом (примерно 0,2 В ниже).
2) Поскольку SBD является типом проводящего устройства с большей несущей, нет проблем со сроком службы неосновных носителей и проблемами обратного восстановления. Время обратного восстановления SBD — это только время заряда и разряда конденсатора с барьером Шоттки, которое полностью отличается от времени обратного восстановления диода с PN-переходом. Поскольку заряд обратного восстановления SBD очень мал, скорость переключения очень высока, а потери при переключении особенно малы, что особенно подходит для высокочастотных приложений.
Однако обратное напряжение пробоя SBD относительно низкое, поскольку обратный барьер SBD тонкий и пробой легко происходит на его поверхности. Поскольку SBD легче разрушается под действием тепла, чем диод с PN-переходом, обратный ток утечки больше, чем у диода с PN-переходом.
